
未來發展:三維立體成長,努力成為國際一流的微觀加工設備公司。公司已形成三 個維度擴展未來業務的布局規劃。在集成電路設備領域,公司有望擴大在刻蝕設備領域 的競爭優勢,延伸到薄膜、檢測等其他關鍵設備領域;在泛半導體設備領域,公司有望 借助現有技術積累,擴展布局顯示、MEMS、功率器件、太陽能領域的關鍵設備;在其 他新興領域,公司基于對半導體產業、微納加工制造領域的深刻理解,有望探索半導體 配套環保設備、設備網絡、電子生物等領域的市場機會。公司圍繞自身核心競爭力,通 過自主創新、有機生長,結合適當的投資、兼并策略,不斷推動企業健康發展,有望在 10-15 年后成為國際一流的微觀加工設備公司。
管理團隊:核心團隊國際化,人才梯隊建設完備
國際化管理團隊,核心管理團隊多具有海外半導體設備龍頭廠商工作經驗。半導體 關鍵設備開發因其涉及眾多基礎科學技術和工程領域交叉,極具復雜度,故需要具備業 內資深經驗的專家型團隊。公司有著國際化的管理團隊,具備 160 多位資深的技術、銷 售和營運專家。公司創始人、董事長及總經理尹志堯博士在半導體芯片和設備產業有超 過 30 年的行業經驗,是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者之一。此外,公司其他聯合創始人、核心技術人員等同樣擁有資深的技術經驗背景,曾在國際知名半導體設備廠商擔任重要職位,保障公司未來長遠發展。
人才培養計劃持續推進,2020 年末公司員工人數近 900 名,研發人員占比高達 39%。公司高度重視人才的吸引和發展,從國內外吸引了大批行業經驗豐富的管理及技 術人才,2020 年末員工總數達 894 人,較上年同期凈增 171 人。公司建立人才梯隊培養 機制,采用企業內訓、外聘內訓和委外培訓相結合的方式開展多維度、多層次的培訓項 目,讓員工與企業共同進步成長。為吸引和保留核心骨干人才,公司不斷探索員工激勵 機制,包括員工持股激勵、技術創新貢獻獎勵等,將研發人員的個人利益與公司利益綁 定,促進公司長遠發展。截至 2020 年末,公司共有 346 名研發人員,占比 38.70%,其中博士 / 碩士 / 本科 / 大專及以下分別為 62/106/138/40 人 , 分別占 比 17.92%/30.64%/39.88%/11.56%。

股權架構:國資入股,股權激勵覆蓋超 9 成員工
多家知名投資機構入股,技術團隊專業背景豐富。公司股東較為分散, 2020 年定增發行后(2021 年 7 月發行完畢),公司第一大股東上海創投持股比例為 15.67%,目前無實際控制人,重要決策均屬于各方共同參與決策。國資入股彰顯長期信心,上海市國資委通過上海創投持有公司 15.67%股份,國家集成電路產業投資基金通過巽鑫投資持有公司 15.17%股份,國家集成電路產業投資基金二期參與公司定增并持有 3.97%股份;國開行間接持有公司 1.97%股份;南昌智微、中微亞洲、GRENADE、 BOOTES 為公司員工持股平臺,合計持股 12.69%,其他員工持股平臺還包括勵微投資、 芃徽投資,尹志堯等 7 位高管直接持有公司 2.68%股份;此外,公司獲得眾多國內外知 名股權投資基金和機構入股。
股權激勵:覆蓋 9 成以上員工,調動員工積極性并實現利益協同,公司穩定成長明 確。公司通過限制性股權激勵計劃、股票增值權激勵計劃,實現公司、管理層、員工間的利益協同。公司層面歸屬/行權比例根據未來年度營收情況實行考核,員工最終獲得的股權數量仍要考慮員工個人層面業績考核。2020 年限制性股權激勵計劃中,首次授予部分覆蓋 700 位員工,在授予時公司全部員工中占比 91.86%,覆蓋核心技術人 員以及中層管理人員及骨干、優秀基層員工,授予數量合計 670 萬股,占公司當前總股 本的 1.09%;預留部分已授予 103.989 萬股,占當前總股本的 0.17%。2020 年公司因股權激勵確認的股份支付費用 約 1.24 億元,預計 2021 年為 1.91 億元,隨后逐年呈下降趨勢。
財務分析:營收 CAGR 近 40%,毛利率近 40%,研發費用率高于同業
收入端:近五年營收 CAGR 約 39%,受益國產替代及下游擴產,2020 年同比+17%。 從歷年營收看,依托公司在刻蝕設備、MOCVD 設備及其他設備領域領先的技術優勢以及 良好的客戶基礎,公司業務規模不斷擴大,2020 年實現營收 22.73 億元,同比+16.76%。 從不同業務營收占比看,2020 年刻蝕設備/MOCVD 設備/VOC 設備/備品備件/設備維護/ 其他業務分別占比 56.70%/21.82%/0.62%/19.43%/1.44%/0.01%。

收入結構:1)從各地區占比看,受益全球晶圓產能部分向中國大陸轉移,2020 年公司收入在中國大陸/中國臺灣/其他地區占比分別 79.61%/17.76%/2.63%。2)從客戶集中度來看,公司客戶集中度占比逐年降低,客戶群體逐漸增加,2020 年前五名客戶占 比為 59.65%。3)從分季度營收來看,公司營業收入存在一定的季節性波動特征,大部 分設備相對集中于下半年驗收,使得第四季度收入占比較高。受益半導體國產替代背景 下國內需求大幅提升,2021Q1 公司實現營收 6.03 億元,同比+46.24%。
成本端:直接材料為主要成本,前五名供應商占比在 30%附近。從成本結構來看, 2020 年直接材料/直接人工/制造費用占比分別為 89.58%/1.40%/9.03%,其中直接材料為 主營業務成本的主要構成部分,2020 年制造費用由于研發費用資本化攤銷、股份支付費 用增加,制造費用占比有一定提升。
利潤端:毛利率提升推動凈利率提升,盈利水平與可比公司相當。2020 年公司毛利 率為 37.67%,同比+2.74%。拆分不同業務來看,公司專用設備/備品備件/設備維護/其他 業務毛利率分別為 37.32%/37.64%/57.09%/38.02%。從公司歷年凈利潤情況看,公司在 2017 年度實現扭虧為盈,隨著業務規模的擴大,盈利能力逐年提升,2020 年實現凈利潤 4.92 億元,同比+161.06%;2021Q1 毛利率為 40.92%,同比+7.06pcts,凈利潤 1.38 億 元,同比+425.36%,其中政府補同比增加約 1.43 億元。從歷年整體毛利率、期間費用率、 凈利率情況來看,公司毛利率在 40%左右波動,期間費用率在 30%左右波動,凈利率保 持上行趨勢。
盈利水平對比:與海外半導體設備巨頭公司對比來看,中微公司 2020 年毛利率 低于應用材料、阿斯麥、泛林、東京電子等龍頭廠商,在凈利率水平上與國際領先企業相當;與國內其他可比公司對比,公司 2020 年毛利率低于國內可比公司均值,凈利率高 于可比公司均值。
費用端:主要為銷售費用與研發費用。公司 2020 年銷售/管理/研發/財務費用率分別 為 10.41%/6.73%/14.55%/-0.33%,期間費用率為 31.16%,同比+3.74pcts,其中研發費 用率伴隨公司規模的提升而不斷增加,為公司未來長期發展提供保障,2020 年研發費用 率為 14.55%,同比+2.54pcts。

研發投入:研發費用及研發人員占比高于國內同業公司平均水平,持續驅動公司成 長。與國內可比公司對比來看,公司 2020 年研發費用為 3.31 億元,研發費用率為 14.55%,高于國內可比公司平均水平;截至 2020 年末共有 346 名研發人員,在所有員 工中占比 38.70%,數量上略低于國內公司平均值,但占比高于國內可比公司均值。與海 外可比公司對比來看,研發費用率、研發人員占比情況與可比公司相當,但在研發費用、 研發人員數量上仍存在差距。
研發成果:承擔多項重大科研項目,技術儲備雄厚,2020 年末已獲得 1096 項專利, 其中發明專利占比 84%。公司自成立以來先后承擔了多項國家和地方重大科研項目,包括等離子體刻蝕、MOCVD 等高端半導體裝備的研發和產業化等 8 項。2020 年公司新申請專利共 295 項,其中發明專利申請 220 項;獲得授權 80 項,其中獲得發明專利 58 項; 截至 2020 年末,公司已申請 1755 項專利,其中發明專利 1517 項,占比 86%;已獲授 權專利 1096 項,其中發明專利 917 項,占比 84%。公司積累了深厚的技術儲備和豐富 的研發經驗,保證公司產品和服務不斷進步。
二、行業趨勢:國內晶圓廠逆周期持續擴產+設備本土化泛半導體制造可涉及數百道工藝,需數十種高端設備;中微公司已在刻蝕、薄膜細 分領域突破,未來將延伸布局過程控制等新品類。泛半導體包含集成電路、LED、光伏 電池等領域,在制造環節中具有相似性,其中集成電路制造最為復雜,作為原料的晶圓 裸片需要在擴散、光刻、刻蝕、薄膜、離子注入和拋光六大廠區中完成數百道加工工序, 最終才形成成品芯片并送往后道工廠進行封測,涉及半導體設備達數十種。我們梳理泛 半導體領域晶圓制造環節的設備品類如下:其中中微公司為國內半導體設備龍頭,可提 供刻蝕機、MOCVD 設備等核心半導體設備,未來將進一步拓展布局薄膜沉積、過程控 制品類。
未來公司有望在刻蝕、CVD 領域進行產品升級,并向量測設備、光伏設備等領域拓 展,打開廣闊市場。1)刻蝕設備:公司將加碼 ALE 刻蝕,干法刻蝕市場(約 150 億美 元市場)全覆蓋。2)CVD 設備:公司已出貨紫外光 LED MOCVD 設備,并拓展 MOCVD 設備應用領域至 Mini/Micro LED 及功率器件領域;此外,公司有望開拓薄膜沉 積中的各類 CVD 設備,如 LPCVD、ALD、外延等品類,對應約 100 億美元市場 。3)其他設備:公司有望借助上海睿勵協同優勢布局過程控制設備(約 80 億美元市場);同時投建 VOC 設備產線,進軍環保市場及平板顯示設 備市場;長期看,公司計劃進軍光伏設備市場(50 億美元),成功進入后,將打開廣闊空間,料將成長為泛半導體設備平臺型龍頭。
市場空間:料 2022 年全球近千億美元規模,受益國內晶圓廠快速擴產領先全球
預計 2022 年全球半導體設備銷售額突破千億美元。半導體設備市場規模受到經濟波 動與技術變革影響呈周期性上升, 2020 年全球市場規模達到 711.9 億 美元,同比+19.15%,疫情后經濟快速復蘇導致供不應求,制造端大規模擴產帶動下,預計 2021 年全球市場規模上升至 953 億美元,同比+33.87%,2022 年將突破 1000 億美元。

從區域上看:中國大陸半導體設備市場規模于 2020 年攀升至全球首位。聚焦中國大 陸市場來看,2020 年半導體設備市場規模約 187.2 億美元,同比+39.18%。中國在全球 半導體設備領域中的地位不斷提高,市場規模占比從 2011 年的 8%提升至 2020 年的 26%,首次達到全球第一,其次為中國臺灣、韓國,分別占比 24.09%/2.59%。根據 SEMI 預測,中國大陸、中國臺灣、韓國在 2021 年仍是全球半導體設備領域的前三大市 場。
從類型上看:半導體設備細分類型較為分散,光刻、刻蝕、薄膜沉積價值量占比最 大。晶圓制造是半導體設備價值量最高的環節,根據 SEMI 數據,2020 年全球半導體設 備市場中晶圓制造/測試/封裝設備銷售額占比分別為 86.12%/8.46%/5.42%。晶圓制造設 備從類別上可分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、檢測、離子摻雜等十多類,其中光刻、刻蝕、 薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。根據 Gartner 數據,2019 年按全球晶圓制造設備市場中,光刻、刻蝕、薄膜沉積設備價值量占比最高,分別約25%/24%/21%。
從晶圓廠擴產情況看:中國大陸快速擴產,國產設備廠商迎來發展機遇。為滿足通信、計算、醫療保健、在線服務和汽車等下游市場對芯片的需求,預計 2021/22 年全球將有 19/10 座新建的高產能晶圓廠,其中中國大陸地區新建數量領先,分 別為 5/3 座。SEMI 預計 29 座新建晶圓廠設備支出超過 1400 億美元,其中 15 座將為 300mm(12 英寸)型,月生產合計多達 260 萬片晶圓(等效 8 英寸),此外還有 8 座晶 圓廠可能于今明年建設。根據 IC Insight 預測,全球/中國晶圓產能將由 2018 年的 1945/243 萬片/月升至 2022 年的 2391/410 萬片/月(等效 8 英寸),CAGR 約 5%/14%。 聚焦中國大陸晶圓廠(硅基)新建及擴產產能情況,中芯國際、華虹集團、長江存儲、 長鑫存儲、等晶圓廠均有擴產計劃,并加速國產設備驗證導入,國產設備廠商將迎來發 展機遇。
競爭格局:美日歐廠商占據優勢,國內廠商以點帶面突破
全球格局:美日歐廠商長期占據市場主導,2020 年 CR15 超 80%。 2020 年全球半導體設備領域市場營收規模約 924.1 億美元,同比 +18.4%,然而 TOP15 公司均為歐美日韓廠商,中國大陸廠商在全球市場占比僅約 2%左 右。具體來看,美國應用材料、荷蘭阿斯麥營收規模上遙遙領先,2020 年分別為 163.7/154.0 億美元,占據 17.7%/16.7%的市場份額,其次為泛林、東京電子等眾多龍頭 廠商,2020 年全球半導體設備領域 CR15 高達 82.6%。
聚焦國內:技術能力快速提升,細分領域點狀突破。經過多年的技術研發和沉淀, 國內半導體設備廠商在產品品質、品牌信譽度、客戶資源等方面不斷追趕,現已在細分 領域具備國產替代能力。中微公司已是我國半導體設備領域領先廠商之一。未來國內設 備廠商有望在技術上不斷突破,實現產品品質及營收體量的提升,持續追趕海外龍頭。
三、刻蝕設備:國內龍頭,產品滿足先進制程工藝需求市場空間:全球刻蝕設備市場約 140 億美元
全球刻蝕設備以干法刻蝕設備為主,市場規模約 140 億美元??涛g是指通過溶液、 離子等方式剝離移除晶圓表面材料,從而達到集成電路芯片結構設計要求的工藝環節。 隨芯片制程縮進與三維結構升級,更復雜的刻蝕工藝和步驟數量對刻蝕設備的數量、質 量要求持續增加。從工藝技術看,刻蝕可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,由于干法刻蝕精確 度、潔凈度更高而成為主流,干法刻蝕占比約為 90%。從刻蝕對象的材質看,刻蝕可分為介質刻蝕(占比 44%,2020 年,下同)和導體刻蝕(占比 56%,其中主要為硅刻蝕,少部分為金屬刻蝕),該機構預計 2020-2025 年 CAGR 分別約為 6.4%/5.4%。根據不同材質的特點,由于 CCP(電容耦合等離子刻蝕) 的等離子體轟擊力強,適合刻蝕氧化物、氮氧化物等較硬的介質材料等;ICP(電感耦合 等離子刻蝕)的等離子體密度高,能量較低,易于控制,適合刻蝕較軟或較薄的材料, 用于單晶硅、多晶硅、金屬以及部分介質材料等。

市場格局:美、日大廠壟斷,公司細分領域突破
刻蝕設備市場高度集中,海外大廠三足鼎立,2019 年 CR3 超 90%。 2019 年,泛林半導體(52%)、東京電子(20%)、應用材料(19%)分列全球刻蝕設備 市場前三。其中,在導體刻蝕領域,泛林半導體與應用材料兩家獨大, 2020 年泛林半導體(54%)、應用材料(30%)、東京電子(5%)分列前三;在介質刻蝕 領域,東京電子與泛林半導體雙雄爭霸, 2020 年,東京電子(53%)、 泛林半導體(38%)、中微公司分列前三。
中微公司細分突破加速追趕,國產替代趨勢下份額提升未來可期。隨著國內刻蝕廠 商技術提升,部分廠商成功進入龍頭存儲廠/晶圓廠供應鏈。存儲廠方面,參考長江存儲 刻蝕設備招標情況,按設備臺數統計(下同),2018-2020 年來國產刻蝕機中標比例約在 30%上下,招標的國內廠商數量由 2018 年中微公司 1 家拓展至 2020 年的 4 家。晶圓廠 方面, 2018-2020 年來國產刻蝕機中標比例約在 50% 上下,其中中微公司的占比由 2018 年的 1.6%快速上升至 2020 年的 28.6%。同時,中微公司的刻蝕設備已進入全球龍頭臺積電 5nm 產線,是臺積電 5nm 產線中唯一一家國產設備公司,與全球龍頭刻蝕廠商泛林半導體、應用材料、東京電子和日立高新比肩。